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MIS結構

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MIS結構是研究半導體表面電場效應的一種理想化情況,滿足以下幾個條件: 一、金屬與半導體的功函數差為零 二、在絕緣層內沒有任何電荷且絕緣層完全不導電 三、絕緣體與半導體界面處不存在任何界面狀態